据路透社报道，三星电子一位高层人士指出，高带宽内存（HBM）在明年预计将占据各DRAM芯片制造商总晶圆产能的近30%，相较当前大约20%的比例有所提升。
三星电子（SSNLF）执行副总裁金泰宇（Kim Taewoo）提到，HBM会与普通DRAM争夺晶圆产能。这意味着增加HBM的生产量，可能会对标准DRAM的供应造成压力。
根据了解，HBM是人工智能计算中的关键部件，由多层存储芯片垂直堆叠而成，能使处理器以极高速度读取大量数据。该市场目前主要由韩国的SK海力士、三星电子以及美国美光科技三家企业主导。
